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FQP2N30相关型号
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ON安森美热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FQP2N30

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,FQP2N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列QFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.1A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)3.7 欧姆 @ 1.05A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)5nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)130pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)40W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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