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NGTB25N120SWG相关型号

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ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NGTB25N120SWG

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 25A 1200V TO-247
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）50A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)100A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.4V @ 15V，25A
  • 功率 - 最大值385W
  • 开关能量1.95mJ（开），600µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷178nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值87ns/179ns
  • 测试条件600V，25A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）154ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3

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